описание

Проект направлен на решение следующей научной проблемы: разработка и инновационный дизайн принципиально новых наноматериалов для приборов и устройств нанофотоники на основе III-V нитевидных нанокристаллов (ННК) на подложках кремния. Переход к таким наноматериалам позволит решить важнейшую задачу интеграции фотонных и электронных компонентов на едином кремниевом чипе. Это позволит, в частности, кардинально уменьшить весо-габаритные характеристики приборов персональной электроники и Интернета, повысить быстродействие телекоммуникационных линий связи, уменьшить глобальное энергопотребление, а также создавать новые наногетероструктуры с рекордно низкой плотностью дефектов и практически неограниченными возможностями по инженерии зонной структуры путем совмещения различных материалов в тройных твердых растворах. Такие возможности обусловлены уникальными свойствами ННК, связанными с бездислокационными механизмами релаксации упругих напряжений и подавлением сегрегации в системах с большим рассогласованием решеток (InGaAs и InGaN),что невозможно в планарных системах. Коллектив исполнителей занимает лидирующие позиции в мире в области синтеза, моделирования, исследования физических свойств и приборной функционализации III-V полупроводниковых ННК, что подтверждается высокорейтинговыми публикациями (13 статей в Nano Letters за последние 5 лет), приглашенными докладами на престижных конференциях и участием коллектива в европейских консорциумах проектов Horizon 2020 INDEED и FRAMED. Проводятся уникальные исследования механизмов генерации фононов и взаимодействия фундаментальных акустических мод в наноматериалах на основе III-V ННК с помощью сверхбыстрой когерентной рентгеновской дифракции на Европейском рентгеновском лазере на свободных электронах (XFEL). Все это позволяет ожидать получения действительно прорывных результатов как фундаментального, так и прикладного характера. Проект полностью соответствует направлению из стратегии НТР РФ в части перехода к новым материалам, обеспечивающим новые функциональные свойства и характеристики научно-технической продукции.
АкронимRSF_SR WCL_2019 - 3
СтатусЗавершено
Эффективные даты начала/конца1/01/2131/12/21

    Области исследований

  • Нитевидные нанокристаллы, III-V полупроводники, верхбыстрая рентгеновская дифракция, молекулярно-пучковая эпитакси, моделирование, оптоэлектронные структуры, светодиоды, лазеры, источники одиночных фотонов, солнечные элементы

ID: 75819290