Исследованы зависимости электросопротивления R наноперфорированных образцов графена от положения уровня Ферми EF , которое изменялось с помощью напряжения на затворе Vg. Наноперфорация проводилась с помощью облучения образцов графена на подложке Si/SiO2 либо тяжелыми (ксенон), либо легкими (гелий) ионами. При низких температурах в отсутствие магнитного поля на зависимости R(Vg) обнаружена серия регулярных пиков. Пики связываются с прохождением EF через эквидистантную лестницу уровней, образованных орбитально-квантованными состояниями краевых дираковских фермионов (ДФ), вращающихся вокруг каждого наноотверстия. Результаты согласуются с теорией краевых состояний для безмассовых ДФ