51 - 60 из 192Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Эффекты накопления заряда при облучении ионным пучком

    Петров, Ю. В., Аникьева, А. Э., Григорьев, Е. А., Барабан, А. П. & Вывенко, О. Ф., 10 мар 2020, Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума: в 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Том 1. стр. 390-391

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции

  3. Эффекты накопления заряда в диэлектриках при исследовании методами сканирующей ионной микроскопии

    Петров, Ю. В., Аникьева, А. Э., Григорьев, Е. А., Барабан, А. П. & Вывенко, О. Ф., 2020, стр. 129-130. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  4. 2019

  5. HVPE growth of α-and ϵ-Ga2O3 on patterned sapphire substrates

    Nikolaev, V. I., Pechnikov, A. I., Nikolaev, V. V., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Stepanov, S. I., Medvedev, O. S., Shapenkov, S. V., Ubyivovk, E. V. & Vyvenko, O. F., 11 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 055049.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. Peculiarity of Electric Properties of Oxygen-Implanted Silicon at Early Precipitation Stages

    Danilov, D., Vyvenko, O., Loshachenko, A. & Sobolev, N., сен 2019, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 216, 17, 9 стр., 1900327.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Unusual Polarization Dependence of Dislocation-Related Luminescence in n-GaN

    Medvedev, O., Albrecht, M. & Vyvenko, O., сен 2019, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 216, 17, 6 стр., 1900305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon

    Trushin, M., Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, O. & Kittler, M., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 9 стр., 012005.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Extended core structure and luminescence of a-screw dislocations in GaN

    Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Shapenkov, S. V. & Seibt, M., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 5 стр., 012006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  10. Oxygen precipitate positive charge evolution upon annealing of oxygen implanted silicon

    Danilov, D., Vyvenko, O., Trushin, M., Loshachenko, A. & Sobolev, N., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 стр., 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. Unusual behavior of dislocations freshly-introduced under Schottky contact in GaN

    Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F. & Katrushenko, M. V. N., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  12. Preface: State-of-the Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN-2018

    Vyvenko, O. & Petrov, Y., 15 янв 2019, в: AIP Conference Proceedings. 2064, 010001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › редакционная статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 9 ...20 Далее

ID: 218817