Изучена электролюминесценция (ЭЛ) структур Si-SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации (ИИ) кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ИИ являлось возникновение полос ЭЛ с максимумами около 2.7 и 4.3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос ЭЛ, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2.7 eV.
