Переведенное названиеCharge State of Luminescence Centers in Si-SiO 2 Structures, Multiply Implanted with Silicon and Carbon
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)18-22
ЖурналИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - 2007

ID: 5250430