1 - 4 из 4Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2021

  4. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Kukushkin, S. A., Sharofidinov, S. S., Osipov, A. V., Grashchenko, A. S., Kandakov, A. V., Osipova, E. V., Kotlyar, K. P. & Ubyivovk, E. V., 1 мар 2021, в: Physics of the Solid State. 63, 3, стр. 442-448 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, стр. 3-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 75991975