1 - 4 из 4Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2022

  4. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2021

  6. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2019

  8. The model for in-plane and out-of-plane growth regimes of semiconductor nanowires

    Berdnikov, Y., Sibirev, N. V., Reznik, R. R. & Redkov, A. V., 20 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012049.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

ID: 75991925