1. 2025
  2. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Кукушкин, С. А., Редьков, А. В., Осипов, А. В., Гращенко, А. С. & Роженцев, Д. В., 2025, (Accepted/In press) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. 2024
  4. 2023
  5. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. 2022
  7. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, p. 24-28

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  8. 2021
  9. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  10. 2019
  11. The model for in-plane and out-of-plane growth regimes of semiconductor nanowires

    Berdnikov, Y., Sibirev, N. V., Reznik, R. R. & Redkov, A. V., 20 Dec 2019, In: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012049.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

ID: 75991925