141 - 150 из 163Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2010

  2. Evolution of surface morphology at the early stage of Al2O3 film growth on a rough substrate

    Filatova, E. O., Peverini, L., Ziegler, E., Kozhevnikov, I. V., Jonnard, P. & Andre, J. M., 3 авг 2010, в: Journal of Physics: Condensed Matter. 22, 34, стр. 345003_1-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Optical constants of crystalline HfO2 for energy range 140-930 eV

    Filatova, E., Sokolov, A., Andre, J-M., Schaefers, F. & Braun, W., 2010, в: Applied Optics. 49, 14, 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Spectroscopic Investigations of the Stability of Porous Silicon Structure Obtained by Etching Si(100) in Aqueous Ammonium Fluoride Solution

    Filatova, E. O., Lysenkov, K. M., Sokolov, A. A., Ovchinnikov, A. A., Marchenko, D. E., Kashkarov, V. M. & Nazarikov, I. V., 2010, в: Technical Physics Letters. 36, 2, стр. 119-121

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  5. XPS and depth resolved SXES study of HfO2/Si interlayers

    Filatova, E. O., Sokolov, A. A., Ovchinnikov, A. A., Tveryanovich, S. Y., Savinov, E. P., Marchenko, D. E., Afanas'ev, V. V. & Shulakov, A. S., 2010, XPS and depth resolved SXES study of HfO2/Si interlayers. 5 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

  6. X-ray Spectroscopic Examination of Thin HfO2 Films ALD- and MOCVD-Grown on the Si(100) Surface

    Sokolov, A. A., Ovchinnikov, A. A., Lysenkov, K. M., Marchenko, D. E. & Filatova, E. O., 2010, в: Technical Physics. 55, 7, стр. 1045-1050

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si(100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами

    Филатова, Е. О., Лысенков, К. М., Соколов, А. А., Овчинников, А. А., Марченко, Д. Е., Кашкаров, В. М. & Назариков, И. В., 2010, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 36, 3, стр. 53 - 59

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO2 синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD

    Соколов, А. А., Овчинников, А. А., Лысенков, К. М., Марченко, Д. Е. & Филатова, Е. О., 2010, в: ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 80, 7, стр. 131-136

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках.

    Грохотков, И. Н., Яфясов, А. М., Филатова, Е. О. & Божевольнов, В. Б., 2010, Издательский Центр «Академия».

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › сборник › Рецензирование

  10. 2009

  11. ALD synthesis of SnSe layers and nanostructures

    Drozd, V. E., Nikiforova, I. O., Bogevolnov, V. B., Yafyasov, A. M., Filatova, E. O. & Papazoglou, D., 21 сен 2009, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 42, 12, 125306.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Interface analysis of HfO2 films on (100)Si using X-ray photoelectron spectroscopy

    Sokolov, A. A., Filatova, E. O., Afanas'Ev, V. V., Taracheva, E. Y., Brzhezinskaya, M. M. & Ovchinnikov, A. A., 9 апр 2009, в: Journal of Physics D - Applied Physics. 42, 3, стр. 035308_1-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 16 17 Далее

ID: 173981