1. 2015
  2. Experimental determination of the top of the valence band in amorphous Al2O3 and γ-Al2O3

    Konyushenko, M. A., Filatova, E. O., Konashuk, A. S., Nelyubov, A. V. & Shulakov, A. S., 2015, в: Technical Physics Letters. 10, стр. 922-925

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  3. Interpretation of the Changing the Band Gap of Al2O3 Depending on Its Crystalline Form: Connection with Different Local Symmetries

    Filatova, E. O. & Konashuk, A. S., 2015, в: Journal of Physical Chemistry C. 119, 35, стр. 20755-20761 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Soft X-ray absorption spectroscopy study of (Ba0.5Sr0.5) (Co0.8Fe0.2)(1-x)NbxO3-delta with different content of Nb (5%-20%)

    Egorova, Y. V., Scherb, T., Schumacher, G., Bouwmeester, H. J. M. & Filatova, E. O., 2015, в: Journal of Alloys and Compounds. 650, 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  5. Soft X-ray absorption spectroscopy study of (Ba0.5Sr0.5)(Co0.8Fe0.2)1-хNbхO3- δ with different content of Nb (5%-20%)

    Egorova, Y. V., Scherb, T., Schumacher, G., Bouwmeester, H. J. M. & Filatova, E. O., 2015, в: Journal of Alloys and Compounds. 650, стр. 848-852

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  6. Экспериментальное определение положения потолка валентной зоны в a-Al2O3 и гамма-Al2O3

    Конюшенко, М. А., Филатова, Е. О., Конашук, А. С., Нелюбов, А. В. & Шулаков, А. С., 2015, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 41, 19, стр. 8-15

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. 2014
  8. Application of soft X-ray reflectometry for analysis of underlayer influence on structure of atomic-layer deposited SrTixOy films

    Filatova, E. O., Kozhevnikov, I. V., Sokolov, A. A., Konashuk, A. S., Schaefers, F., Popovici, M. & Afanas'Ev, V. V., 2014, в: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 196, стр. 110-116

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  9. Electrical properties of a SiC-Si multilayer structure

    Bozhevol'nov, V. B., Yafyasov, A. M., Miailovskii, V. Y., Egorova, Y. V., Sokolov, A. A. & Filatova, E. O., 2014, в: Semiconductors. 6, стр. 792-795

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  10. Memristive switching mechanism for TiO2/ITO/Al assembly: formation of molecular oxygen in TiO2

    Filatova, E., Konashuk, A., Sokolov, A., Schaefers, F. & Konyushenko, M., 2014, в: Scientific Reports. находится на повторном рецензировании

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Metal/IL/TiO2/metal nanostructures as the most promising switching materials in RRAM memory Устный доклад- Филатова Е.О.

    Baraban, A. P., Selivanov, A. A., Konashuk, A. S., Drozd, V. E. & Filatova, E. O., 2014, стр. 40.

    Результаты исследований: Материалы конференцийтезисы

ID: 173981