XPS and depth resolved SXES study of HfO2/Si interlayers

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

Кафедра электроники твердого тела

DOI

https://doi.org/10.1016/j.elspec.2010.04.005
Другие версии

E. O. Filatova
A. A. Sokolov
A. A. Ovchinnikov
S. Yu. Tveryanovich
E. P. Savinov
D. E. Marchenko
V. V. Afanas'ev
A. S. Shulakov

Язык оригинала	английский
Название основной публикации	XPS and depth resolved SXES study of HfO2/Si interlayers
Число страниц	5
DOI	https://doi.org/10.1016/j.elspec.2010.04.005
Состояние	Опубликовано - 2010

ID: 8159682

Pure – это продукт компании Elsevier
На данном информационном ресурсе могут быть опубликованы архивные материалы
с упоминанием физических и юридических лиц, включенных Министерством юстиции
Российской Федерации в реестр иностранных агентов

Вход в Pure