51 - 56 из 56Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Selective-area growth and optical properties of GaN nanowires on patterned SiOx/Si substrates

    Gridchin, V. O., Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Dragunova, A. S., Dvoretckaia, L. N., Parfeneva, A. V., Shevchuk, D. S., Kryzhanovskaya, N. V., Mukhin, I. S. & Cirlin, G. E., 15 апр 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1851, 1, 012006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Гридчин, В. О., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Драгунова, А. С., Крыжановская, Н. В., Серов, А. Ю., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 21, стр. 32-35

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2020

  5. Electrical properties of InGaN nanostructures with branched morphology synthesized via MBE on p-type Si(111)

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Borodin, B. R., Kudryashov, D. A., Alekseev, P. A. & Cirlin, G. E., 28 дек 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012030.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. Selective-Area Growth of GaN Nanowires on Patterned SiO x/Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Dvoretskaya, L. N., Parfen’eva, A. V., Mukhin, I. S. & Cirlin, G. E., ноя 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 11, стр. 1080-1083 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Synthesis of Morphologically Developed InGaN Nanostructures on Silicon: Influence of the Substrate Temperature on the Morphological and Optical Properties

    Reznik, R. R., Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Kryzhanovskaya, N. V., Morozov, S. V. & Cirlin, G. E., 1 сен 2020, в: Semiconductors. 54, 9, стр. 1075-1077 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Peculiarities of the structural properties of InxGa1-xN polytype nanostructures grown by molecular-beam epitaxy

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Shevchuk, D. S., Kirilenko, D. A., Bert, N. A., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 25 мар 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 Далее

ID: 51861740