Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Abstract: We demonstrate the possibility of selective-area growth of ordered arrays of GaN nanowires by molecular beam epitaxy on SiOx/Si substrates patterned by photolithography with microspherical lenses without the preliminary formation of seed layers. The effect of the substrate temperature on the morphological properties of the obtained arrays of nanowitres is studied. The optimal growth parameters ensuring the selective-area growth of GaN nanowires are experimentally found.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 1080-1083 |
Число страниц | 4 |
Журнал | Technical Physics Letters |
Том | 46 |
Номер выпуска | 11 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - ноя 2020 |
ID: 97045333