Standard

Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. / Шугабаев, Талгат; Гридчин, Владислав Олегович; Мельниченко, Иван; Булкин, Павел; Абрамов, Артём; Kuznetsov, Alexey; Максимова, Алина; Новиков, Иван; Хребтов, Артем Игоревич; Убыйвовк, Евгений Викторович; Котляр, Константин Павлович; Крыжановская, Наталия; Резник, Родион Романович; Цырлин, Георгий Эрнстович.

в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs, 13.11.2024.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Шугабаев, Т, Гридчин, ВО, Мельниченко, И, Булкин, П, Абрамов, А, Kuznetsov, A, Максимова, А, Новиков, И, Хребтов, АИ, Убыйвовк, ЕВ, Котляр, КП, Крыжановская, Н, Резник, РР & Цырлин, ГЭ 2024, 'Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells', Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. https://doi.org/10.1002/pssr.202400296

APA

Шугабаев, Т., Гридчин, В. О., Мельниченко, И., Булкин, П., Абрамов, А., Kuznetsov, A., Максимова, А., Новиков, И., Хребтов, А. И., Убыйвовк, Е. В., Котляр, К. П., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., & Цырлин, Г. Э. (2024). Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs, [2400296]. https://doi.org/10.1002/pssr.202400296

Vancouver

Шугабаев Т, Гридчин ВО, Мельниченко И, Булкин П, Абрамов А, Kuznetsov A и пр. Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 2024 Нояб. 13. 2400296. https://doi.org/10.1002/pssr.202400296

Author

Шугабаев, Талгат ; Гридчин, Владислав Олегович ; Мельниченко, Иван ; Булкин, Павел ; Абрамов, Артём ; Kuznetsov, Alexey ; Максимова, Алина ; Новиков, Иван ; Хребтов, Артем Игоревич ; Убыйвовк, Евгений Викторович ; Котляр, Константин Павлович ; Крыжановская, Наталия ; Резник, Родион Романович ; Цырлин, Георгий Эрнстович. / Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 2024.

BibTeX

@article{710bd11560274e869a5d49856227a70c,
title = "Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells",
abstract = "A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.",
keywords = "InAsP, InP, molecular beam epitaxy, nanowires, photoluminescence enhancement, surface plasmon polaritons",
author = "Талгат Шугабаев and Гридчин, {Владислав Олегович} and Иван Мельниченко and Павел Булкин and Артём Абрамов and Alexey Kuznetsov and Алина Максимова and Иван Новиков and Хребтов, {Артем Игоревич} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Котляр, {Константин Павлович} and Наталия Крыжановская and Резник, {Родион Романович} and Цырлин, {Георгий Эрнстович}",
year = "2024",
month = nov,
day = "13",
doi = "10.1002/pssr.202400296",
language = "English",
journal = "Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs",
issn = "1862-6254",
publisher = "Wiley-Blackwell",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells

AU - Шугабаев, Талгат

AU - Гридчин, Владислав Олегович

AU - Мельниченко, Иван

AU - Булкин, Павел

AU - Абрамов, Артём

AU - Kuznetsov, Alexey

AU - Максимова, Алина

AU - Новиков, Иван

AU - Хребтов, Артем Игоревич

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Крыжановская, Наталия

AU - Резник, Родион Романович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

PY - 2024/11/13

Y1 - 2024/11/13

N2 - A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.

AB - A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.

KW - InAsP

KW - InP

KW - molecular beam epitaxy

KW - nanowires

KW - photoluminescence enhancement

KW - surface plasmon polaritons

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/f4c1e7b6-e83a-3257-9876-1b40d9106c82/

U2 - 10.1002/pssr.202400296

DO - 10.1002/pssr.202400296

M3 - Article

JO - Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs

JF - Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs

SN - 1862-6254

M1 - 2400296

ER -

ID: 127175652