Standard
Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. / Шугабаев, Талгат; Гридчин, Владислав Олегович; Мельниченко, Иван; Булкин, Павел; Абрамов, Артём; Kuznetsov, Alexey; Максимова, Алина; Новиков, Иван; Хребтов, Артем Игоревич; Убыйвовк, Евгений Викторович; Котляр, Константин Павлович; Крыжановская, Наталия; Резник, Родион Романович; Цырлин, Георгий Эрнстович.
In:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs, 13.11.2024.
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Harvard
Шугабаев, Т
, Гридчин, ВО, Мельниченко, И, Булкин, П, Абрамов, А, Kuznetsov, A, Максимова, А, Новиков, И
, Хребтов, АИ, Убыйвовк, ЕВ, Котляр, КП, Крыжановская, Н
, Резник, РР & Цырлин, ГЭ 2024, '
Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells',
Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs.
https://doi.org/10.1002/pssr.202400296APA
Шугабаев, Т.
, Гридчин, В. О., Мельниченко, И., Булкин, П., Абрамов, А., Kuznetsov, A., Максимова, А., Новиков, И.
, Хребтов, А. И., Убыйвовк, Е. В., Котляр, К. П., Крыжановская, Н.
, Резник, Р. Р., & Цырлин, Г. Э. (2024).
Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells.
Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs, [2400296].
https://doi.org/10.1002/pssr.202400296Vancouver
Author
Шугабаев, Талгат
; Гридчин, Владислав Олегович ; Мельниченко, Иван ; Булкин, Павел ; Абрамов, Артём ; Kuznetsov, Alexey ; Максимова, Алина ; Новиков, Иван
; Хребтов, Артем Игоревич ; Убыйвовк, Евгений Викторович ; Котляр, Константин Павлович ; Крыжановская, Наталия
; Резник, Родион Романович ; Цырлин, Георгий Эрнстович. /
Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells. In:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 2024.
BibTeX
@article{710bd11560274e869a5d49856227a70c,
title = "Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells",
abstract = "A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.",
keywords = "InAsP, InP, molecular beam epitaxy, nanowires, photoluminescence enhancement, surface plasmon polaritons",
author = "Талгат Шугабаев and Гридчин, {Владислав Олегович} and Иван Мельниченко and Павел Булкин and Артём Абрамов and Alexey Kuznetsov and Алина Максимова and Иван Новиков and Хребтов, {Артем Игоревич} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Котляр, {Константин Павлович} and Наталия Крыжановская and Резник, {Родион Романович} and Цырлин, {Георгий Эрнстович}",
year = "2024",
month = nov,
day = "13",
doi = "10.1002/pssr.202400296",
language = "English",
journal = "Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs",
issn = "1862-6254",
publisher = "Wiley-Blackwell",
}
RIS
TY - JOUR
T1 - Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells
AU - Шугабаев, Талгат
AU - Гридчин, Владислав Олегович
AU - Мельниченко, Иван
AU - Булкин, Павел
AU - Абрамов, Артём
AU - Kuznetsov, Alexey
AU - Максимова, Алина
AU - Новиков, Иван
AU - Хребтов, Артем Игоревич
AU - Убыйвовк, Евгений Викторович
AU - Котляр, Константин Павлович
AU - Крыжановская, Наталия
AU - Резник, Родион Романович
AU - Цырлин, Георгий Эрнстович
PY - 2024/11/13
Y1 - 2024/11/13
N2 - A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.
AB - A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with surface plasmon polaritons. The photoluminescence kinetics and results of modeling confirm the indicated enhancement mechanism.
KW - InAsP
KW - InP
KW - molecular beam epitaxy
KW - nanowires
KW - photoluminescence enhancement
KW - surface plasmon polaritons
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/f4c1e7b6-e83a-3257-9876-1b40d9106c82/
U2 - 10.1002/pssr.202400296
DO - 10.1002/pssr.202400296
M3 - Article
JO - Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs
JF - Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs
SN - 1862-6254
M1 - 2400296
ER -
