Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование
In modern optoelectronics, arrays or single nanowires (NWs) of III-N materials, in particular InGaN, separated from the original substrates are used to fabricate light-emitting diodes or single photon sources. This work describes a technology of separation super-dense arrays or arrays of partially-coalesced InGaN nanowires and single nanowires from a Si substrate by chemical etching in HF:HNO3 solution, which allows preserving the optical properties of the structure for further use.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Номер статьи | 012191 |
Журнал | Journal of Physics: Conference Series |
Том | 2086 |
Номер выпуска | 1 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 6 дек 2021 |
Событие | 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021 - Saint Petersburg, Российская Федерация Продолжительность: 25 мая 2021 → 28 мая 2021 |
ID: 96851413