DOI

A possibility of the AlGaAs nanowires with multiply GaAs QDs MBE growth on silicon substrates has been demonstrated. The morphological on optical properties of grown structures were studied.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи012205
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том1695
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 28 дек 2020
Событие7th International School and Conference "SaintPetersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 27 апр 2020 → 30 апр 2020

    Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

ID: 97045774