Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование
This work demonstrates the possibility of growth of GaN nanowires by molecular epitaxy on a silicon substrate with nanoscale buffer layer of silicon carbide. Morphological and optical properties of the grown arrays are studied. It is shown that the integral intensity of the photoluminescence of such structures is more than 2 times higher than the best NWs GaN structures without buffer layer of silicon carbide.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Название основной публикации | State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016 |
Подзаголовок основной публикации | Proceedings of the 5th International Conference "State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects" |
Редакторы | Oleg Vyvenko |
Издатель | American Institute of Physics |
ISBN (электронное издание) | 9780735414051 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 17 июн 2016 |
Событие | 5th International Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016 - Saint Petersburg, Российская Федерация Продолжительность: 26 апр 2016 → 29 апр 2016 |
Название | AIP Conference Proceedings |
---|---|
Том | 1748 |
ISSN (печатное издание) | 0094-243X |
ISSN (электронное издание) | 1551-7616 |
конференция | 5th International Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016 |
---|---|
Страна/Tерритория | Российская Федерация |
Город | Saint Petersburg |
Период | 26/04/16 → 29/04/16 |
ID: 99722334