DOI

This work demonstrates the possibility of growth of GaN nanowires by molecular epitaxy on a silicon substrate with nanoscale buffer layer of silicon carbide. Morphological and optical properties of the grown arrays are studied. It is shown that the integral intensity of the photoluminescence of such structures is more than 2 times higher than the best NWs GaN structures without buffer layer of silicon carbide.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииState-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016
Подзаголовок основной публикацииProceedings of the 5th International Conference "State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects"
РедакторыOleg Vyvenko
ИздательAmerican Institute of Physics
ISBN (электронное издание)9780735414051
DOI
СостояниеОпубликовано - 17 июн 2016
Событие5th International Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016 - Saint Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 26 апр 201629 апр 2016

Серия публикаций

НазваниеAIP Conference Proceedings
Том1748
ISSN (печатное издание)0094-243X
ISSN (электронное издание)1551-7616

конференция

конференция5th International Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016
Страна/TерриторияРоссийская Федерация
ГородSaint Petersburg
Период26/04/1629/04/16

    Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

ID: 99722334