TY - JOUR

T1 - Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

AU - Кондратенко, Тимофей Тимофеевич

AU - Гращенко, Александр Сергеевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

AU - Редьков, Алексей Викторович

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - A technique is proposed for the formation of epitaxial films of silicon carbide, gallium and aluminum nitrides on the surface of non-planar silicon parts. Using the technique, a GaN/AlN/SiC/Si heterostructure was grown on the surface of a silicon ring. The samples were studied by scanning electron microscopy, as well as raman and energy dispersive spectroscopy. It is shown that the preliminary deposition of a SiC layer on silicon by the atomic substitution method, in which (111) facets are inevitably being formed regardless of the local crystallographic orientation of the substrate surface, makes it possible to efficiently grow subsequent layers of III-nitrides of both wurtzite and sphalerite types on silicon parts.Предложена методика формирования эпитаксиальных пленок карбида кремния, нитридов галлия и алюминия на поверхности изделий из кремния непланарной геометрии. С ее помощью на поверхности кремниевого кольца выращена гетероструктура GaN/AlN/SiC/Si. Образцы изучены методами сканирующей электронной микроскопии, а также рамановской и энергодисперсионной спектроскопии. Показано, что предварительное нанесение на кремний слоя SiC методом замещения атомов, при котором независимо от локальной кристаллографической ориентации поверхности подложки неизбежно формируются фасетки из граней (111), позволяет эффективно осуществлять рост последующих слоев III-нитридов как вюрцитного, так и сфалеритного типа на кремниевых изделиях. Ключевые слова: GaN, AlN, SiC, кремний, метод замещения атомов, МЭМС.

AB - A technique is proposed for the formation of epitaxial films of silicon carbide, gallium and aluminum nitrides on the surface of non-planar silicon parts. Using the technique, a GaN/AlN/SiC/Si heterostructure was grown on the surface of a silicon ring. The samples were studied by scanning electron microscopy, as well as raman and energy dispersive spectroscopy. It is shown that the preliminary deposition of a SiC layer on silicon by the atomic substitution method, in which (111) facets are inevitably being formed regardless of the local crystallographic orientation of the substrate surface, makes it possible to efficiently grow subsequent layers of III-nitrides of both wurtzite and sphalerite types on silicon parts.Предложена методика формирования эпитаксиальных пленок карбида кремния, нитридов галлия и алюминия на поверхности изделий из кремния непланарной геометрии. С ее помощью на поверхности кремниевого кольца выращена гетероструктура GaN/AlN/SiC/Si. Образцы изучены методами сканирующей электронной микроскопии, а также рамановской и энергодисперсионной спектроскопии. Показано, что предварительное нанесение на кремний слоя SiC методом замещения атомов, при котором независимо от локальной кристаллографической ориентации поверхности подложки неизбежно формируются фасетки из граней (111), позволяет эффективно осуществлять рост последующих слоев III-нитридов как вюрцитного, так и сфалеритного типа на кремниевых изделиях. Ключевые слова: GaN, AlN, SiC, кремний, метод замещения атомов, МЭМС.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/a6d6d8d8-7754-37c1-ad29-36d7f3b1efa3/

U2 - 10.21883/PJTF.2023.11.55529.19555

DO - 10.21883/PJTF.2023.11.55529.19555

M3 - статья

VL - 49

SP - 3

EP - 8

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 11

ER -