Standard

Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs. / Григорьева, Н.Р.; Штром, И.В.; Григорьев, Р.В.; Сошников, И.П.; Резник, Р.Р.; Самсоненко, Ю.Б. ; Сибирёв, Н.В.; Цырлин, Г.Э.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 45, № 16, 26.08.2019, стр. 37-40.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Григорьева, НР, Штром, ИВ, Григорьев, РВ, Сошников, ИП, Резник, РР, Самсоненко, ЮБ, Сибирёв, НВ & Цырлин, ГЭ 2019, 'Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 45, № 16, стр. 37-40.

APA

Григорьева, Н. Р., Штром, И. В., Григорьев, Р. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Сибирёв, Н. В., & Цырлин, Г. Э. (2019). Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 45(16), 37-40.

Vancouver

Григорьева НР, Штром ИВ, Григорьев РВ, Сошников ИП, Резник РР, Самсоненко ЮБ и пр. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2019 Авг. 26;45(16):37-40.

Author

Григорьева, Н.Р. ; Штром, И.В. ; Григорьев, Р.В. ; Сошников, И.П. ; Резник, Р.Р. ; Самсоненко, Ю.Б. ; Сибирёв, Н.В. ; Цырлин, Г.Э. / Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2019 ; Том 45, № 16. стр. 37-40.

BibTeX

@article{37caa49d64c344e187b6829acfe4b98d,
title = "Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs",
abstract = "Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlxGa1-xAs (x = 0.3) n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке p-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.",
author = "Н.Р. Григорьева and И.В. Штром and Р.В. Григорьев and И.П. Сошников and Р.Р. Резник and Ю.Б. Самсоненко and Н.В. Сибирёв and Г.Э. Цырлин",
year = "2019",
month = aug,
day = "26",
language = "русский",
volume = "45",
pages = "37--40",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "16",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

AU - Григорьева, Н.Р.

AU - Штром, И.В.

AU - Григорьев, Р.В.

AU - Сошников, И.П.

AU - Резник, Р.Р.

AU - Самсоненко, Ю.Б.

AU - Сибирёв, Н.В.

AU - Цырлин, Г.Э.

PY - 2019/8/26

Y1 - 2019/8/26

N2 - Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlxGa1-xAs (x = 0.3) n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке p-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.

AB - Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlxGa1-xAs (x = 0.3) n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке p-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/48155

M3 - статья

VL - 45

SP - 37

EP - 40

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 16

ER -

ID: 45738480