Standard

Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках. / Резник, Родион Романович; Илькив, Игорь Владимирович; Котляр, Константин Павлович; Гридчин, Владислав Олегович; Убыйвовк, Евгений Викторович; Крыжановская, Наталия; Akopian, N.; Цырлин, Георгий Эрнстович.

Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXVII Международного симпозиума. 13–16 марта 2023 г. Том 2 Нижний Новгород : Институт прикладной физики РАН, 2023. стр. 732-732.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › тезисы в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Harvard

Резник, РР, Илькив, ИВ, Котляр, КП, Гридчин, ВО, Убыйвовк, ЕВ, Крыжановская, Н, Akopian, N & Цырлин, ГЭ 2023, Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXVII Международного симпозиума. 13–16 марта 2023 г. Том. 2, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород, стр. 732-732, XXVII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Российская Федерация, 13/03/23. <https://nanosymp.ru/ru/proceedings>

APA

Резник, Р. Р., Илькив, И. В., Котляр, К. П., Гридчин, В. О., Убыйвовк, Е. В., Крыжановская, Н., Akopian, N., & Цырлин, Г. Э. (2023). Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXVII Международного симпозиума. 13–16 марта 2023 г (Том 2, стр. 732-732). Институт прикладной физики РАН. https://nanosymp.ru/ru/proceedings

Vancouver

Резник РР, Илькив ИВ, Котляр КП, Гридчин ВО, Убыйвовк ЕВ, Крыжановская Н и пр. Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках. в Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXVII Международного симпозиума. 13–16 марта 2023 г. Том 2. Нижний Новгород: Институт прикладной физики РАН. 2023. стр. 732-732

Author

Резник, Родион Романович ; Илькив, Игорь Владимирович ; Котляр, Константин Павлович ; Гридчин, Владислав Олегович ; Убыйвовк, Евгений Викторович ; Крыжановская, Наталия ; Akopian, N. ; Цырлин, Георгий Эрнстович. / Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках. Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXVII Международного симпозиума. 13–16 марта 2023 г. Том 2 Нижний Новгород : Институт прикладной физики РАН, 2023. стр. 732-732

BibTeX

@inbook{a71c9d428a2d4fe0aacbd1a0fe130532,
title = "Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках",
abstract = "В настоящей работе проведено экспериментальное исследование зависимости физических свойств гибридных наноструктр на основе различных III–V материалов, включая нитриды, от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии, таких как материал и температура подложки во время роста, величины и соотношения потоков материалов из источников, время роста нитевидных нанокристаллов и квантовых точек, предростовая и послеростовая обработки образцов.",
author = "Резник, {Родион Романович} and Илькив, {Игорь Владимирович} and Котляр, {Константин Павлович} and Гридчин, {Владислав Олегович} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Наталия Крыжановская and N. Akopian and Цырлин, {Георгий Эрнстович}",
note = "Р. Р. Резник, И. В. Илькив, К. П. Котляр, В. О. Гридчин, Е. В. Убыйвовк, Н. В. Крыжановская, Н. Акопян, Г. Э. Цырлин {"}Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках{"} Труды XXVII Международного симпозиума Том. 2. с 732, 2023 ; XXVII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» ; Conference date: 13-03-2023 Through 16-03-2023",
year = "2023",
language = "русский",
volume = "2",
pages = "732--732",
booktitle = "Нанофизика и наноэлектроника",
publisher = "Институт прикладной физики РАН",
address = "Российская Федерация",
url = "https://nanosymp.ru/ru/index",

}

RIS

TY - CHAP

T1 - Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках

AU - Резник, Родион Романович

AU - Илькив, Игорь Владимирович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Гридчин, Владислав Олегович

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Крыжановская, Наталия

AU - Akopian, N.

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

N1 - Р. Р. Резник, И. В. Илькив, К. П. Котляр, В. О. Гридчин, Е. В. Убыйвовк, Н. В. Крыжановская, Н. Акопян, Г. Э. Цырлин "Особенности роста гибридных III–V наноструктур на полупроводниковых подложках" Труды XXVII Международного симпозиума Том. 2. с 732, 2023

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - В настоящей работе проведено экспериментальное исследование зависимости физических свойств гибридных наноструктр на основе различных III–V материалов, включая нитриды, от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии, таких как материал и температура подложки во время роста, величины и соотношения потоков материалов из источников, время роста нитевидных нанокристаллов и квантовых точек, предростовая и послеростовая обработки образцов.

AB - В настоящей работе проведено экспериментальное исследование зависимости физических свойств гибридных наноструктр на основе различных III–V материалов, включая нитриды, от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии, таких как материал и температура подложки во время роста, величины и соотношения потоков материалов из источников, время роста нитевидных нанокристаллов и квантовых точек, предростовая и послеростовая обработки образцов.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=52794298

M3 - тезисы в сборнике материалов конференции

VL - 2

SP - 732

EP - 732

BT - Нанофизика и наноэлектроника

PB - Институт прикладной физики РАН

CY - Нижний Новгород

T2 - XXVII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»

Y2 - 13 March 2023 through 16 March 2023

ER -

ID: 105694062