Standard

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ. / Гридчин, Владислав Олегович; Резник, Родион Романович; Котляр, Константин Павлович; Драгунова, А. С.; Крыжановская, Н.В.; Серов, Алексей Юрьевич; Кукушкин, Сергей Арсеньевич; Цырлин, Георгий Эрнстович.

в: Письма в Журнал технической физики, Том 47, № 21, 2021, стр. 32-35.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Гридчин, ВО, Резник, РР, Котляр, КП, Драгунова, АС, Крыжановская, НВ, Серов, АЮ, Кукушкин, СА & Цырлин, ГЭ 2021, 'Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ', Письма в Журнал технической физики, Том. 47, № 21, стр. 32-35. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894

APA

Гридчин, В. О., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Драгунова, А. С., Крыжановская, Н. В., Серов, А. Ю., Кукушкин, С. А., & Цырлин, Г. Э. (2021). Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ. Письма в Журнал технической физики, 47(21), 32-35. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894

Vancouver

Гридчин ВО, Резник РР, Котляр КП, Драгунова АС, Крыжановская НВ, Серов АЮ и пр. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ. Письма в Журнал технической физики. 2021;47(21):32-35. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894

Author

Гридчин, Владислав Олегович ; Резник, Родион Романович ; Котляр, Константин Павлович ; Драгунова, А. С. ; Крыжановская, Н.В. ; Серов, Алексей Юрьевич ; Кукушкин, Сергей Арсеньевич ; Цырлин, Георгий Эрнстович. / Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ. в: Письма в Журнал технической физики. 2021 ; Том 47, № 21. стр. 32-35.

BibTeX

@article{fc798e4e4f3a4885beb1b7d06baf2e6a,
title = "Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ",
author = "Гридчин, {Владислав Олегович} and Резник, {Родион Романович} and Котляр, {Константин Павлович} and Драгунова, {А. С.} and Н.В. Крыжановская and Серов, {Алексей Юрьевич} and Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Цырлин, {Георгий Эрнстович}",
year = "2021",
doi = "10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894",
language = "русский",
volume = "47",
pages = "32--35",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "21",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

AU - Гридчин, Владислав Олегович

AU - Резник, Родион Романович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Драгунова, А. С.

AU - Крыжановская, Н.В.

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

PY - 2021

Y1 - 2021

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/cdd5e421-93fb-30f9-9cc0-3151ad0bbcd5/

U2 - 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894

DO - 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894

M3 - статья

VL - 47

SP - 32

EP - 35

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 21

ER -

ID: 89125267