Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.

Standard

Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. / Буравлев, Алексей Дмитриевич (изобретатель); Сошников, Илья Петрович (изобретатель); Цырлин, Георгий Эрнстович (изобретатель); Илькив, Игорь Владимирович (изобретатель).

Номер патента: RU 2693546. дек 14, 2016.

Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

BibTeX

@misc{ae5003830f374d3baa7b1047b2f1500d,

title = "Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.",

abstract = "Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. ",

author = "Буравлев, {Алексей Дмитриевич} and Сошников, {Илья Петрович} and Цырлин, {Георгий Эрнстович} and Илькив, {Игорь Владимирович}",

year = "2016",

month = dec,

day = "14",

language = "русский",

type = "Patent",

note = "RU 2693546",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.

AU - Буравлев, Алексей Дмитриевич

AU - Сошников, Илья Петрович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

AU - Илькив, Игорь Владимирович

PY - 2016/12/14

Y1 - 2016/12/14

N2 - Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

AB - Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

M3 - патент

M1 - RU 2693546

ER -

ID: 78602453