TY - PAT

T1 - Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.

AU - Буравлев, Алексей Дмитриевич

AU - Сошников, Илья Петрович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

AU - Илькив, Игорь Владимирович

PY - 2016/12/14

Y1 - 2016/12/14

N2 - Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

AB - Использование: для формирования массивов наночастиц золота на поверхности кремниевых пластин. Сущность изобретения заключается в том, что способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин заключается в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд. Технический результат: обеспечение возможности контролируемого нанесения золотых частиц на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

M3 - патент

M1 - RU 2693546

ER -