1 - 10 из 20Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Influence of α-particles irradiation on the properties and performance of silicon semiconductor detectors

    Bakhlanov, S. V., Bazlov, N. V., Chernobrovkin, I. D., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Kotina, I. M., Konkov, O. I., Kuzmichev, A. M., Mikulich, M. S., Muratova, V. N., Trushin, M. V. & Unzhakov, E. V., 14 дек 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2103, 1, 012139.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции

  3. Electrically Active Defects Induced by α-Particle Irradiation in p-Type Si Surface Barrier Detector

    Bakhlanov, S., Bazlov, N., Chernobrovkin, I., Danilov, D., Derbin, A., Drachnev, I., Kotina, I., Konkov, O., Kuzmichev, A., Mikulich, M., Muratova, V., Trushin, M. & Unzhakov, E., дек 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 23, 5 стр., 2100212.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Influence of α-particles irradiation on the performance and defect levels structure of Al/SiO2/p-type Si surface barrier detector

    Bakhlanov, S. V., Bazlov, N. V., Danilov, D. V., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Kotina, I. M., Konkov, O. I., Kuzmichev, A. M., Mikulich, M. S., Muratova, V. N., Trushin, M. V. & Unzhakov, E. V., 11 янв 2021.

    Результаты исследований: Рабочие материалы › Препринт

  5. 2020

  6. Photoelectric properties of MIS structures on high-resistivity p-type silicon with aluminium nitride tunnelling insulator

    Bazlov, N. V., Danishevskii, A. M., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Kotina, I. M., Konkov, O. I., Kuzmichev, A. M., Lasakov, M. S., Trushin, M. V. & Unzhakov, E. V., 17 дек 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012181.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. A Change in the Parameters of Si(Li) Detectors under Exposure to α Particles

    Bazlov, N. V., Bakhlanov, S. V., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Izegov, G. A., Kotina, I. M., Muratova, V. N., Niyazova, N. V., Semenov, D. A., Trushin, M. V., Unzhakov, E. V. & Chmel, E. A., 1 янв 2020, в: Instruments and Experimental Techniques. 63, 1, стр. 25-29 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2019

  9. Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon

    Trushin, M., Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, O. & Kittler, M., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 9 стр., 012005.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  10. Oxygen precipitate positive charge evolution upon annealing of oxygen implanted silicon

    Danilov, D., Vyvenko, O., Trushin, M., Loshachenko, A. & Sobolev, N., 23 мая 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 стр., 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. 2014

  12. Impact of Electric Field on Thermoemission of Carriers from Shallow Dislocation-Related Electronic States

    Trushin, M. & Vyvenko, O. F., 2014, Impact of Electric Field on Thermoemission of Carriers from Shallow Dislocation-Related Electronic States. стр. 299-304

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции

  13. 2013

  14. Combined Raman-DLTS investigations of n-type Cu–In–S absorber layers grown on Cu tape substrate (CISCuT)

    Trushin, M., Arguirov, T., Kittler, M., Seifert, W., Klossek, A., Bernhard, T., Gerlach-Blumenthal, W., Hansel, A., Tober, O. & Schwabe, M., 2013, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 210, 1, стр. 222-225

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  15. 2011

  16. Electrical characterization of silicon wafer bonding interfaces by means of voltage dependent light beam and electron beam induced current and capacitance of Schottky diodes

    Trushin, M., Vyvenko, O., Mchedlidze, T., Reiche, M. & Kittler, M., 2011, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 8, 4, стр. 1371-1376

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Назад 1 2 Далее

ID: 166408