11 - 20 из 20Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2011

  2. Giant Poole-Frenkel effect for the shallow dislocation-related hole traps in silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Vdovin, V. & Kittler, M., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012009_1-10

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Scanning X-ray excited optical luminescence microscopy as a new tool for the analysis of recombination active defects in multi-crystalline silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Seifert, W., Klossek, A., Zizak, I. & Kittler, M., 2011, в: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. 178-179, стр. 301-306

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  4. 2009

  5. Synchrotron-based investigation of iron precipitation in multicrystalline silicon

    Seifert, W., Vyvenko, O., Arguirov, T., Kittler, M., Salome, M., Seibt, M. & Trushin, M., апр 2009, в: Superlattices and Microstructures. 45, 4-5, стр. 168-176 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Combined XBIC/μ-XRF/μ-XAS/DLTS investigation of chemical character and electrical properties of Cu and Ni precipitates in silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Seifert, W., Kittler, M., Zizak, I., Erko, A., Seibt, M. & Rudolf, C., 2009, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 6, 8, стр. 1868-1873

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. Electronic states of oxygen-free dislocation networks produced by direct bonding of silicon wafers

    Trushin, M., Vyvenko, O., Mchedlidze, T., Kononchuk, O. & Kittler, M., 2009, в: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. 156-158, стр. 283-288

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  8. Iron-oxygen interaction in silicon: A combined XBIC/XRF-EBIC-DLTS study of precipitation and complex building

    Trushin, M., Vyvenko, O., Seifert, W., Jia, G. & Kittler, M., 2009, в: Physica B: Condensed Matter. 404, 23-24, стр. 4645-4648

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Synchrotron microscopy and spectroscopy for analysis of crystal defects in silicon

    Seifert, W., Vyvenko, O. F., Arguirov, T., Erko, A., Kittler, M., Rudolf, C., Salome, M., Trushin, M. & Zizak, I., 2009, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 6, 3, стр. 765-771

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  10. 2007

  11. Electrical levels of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon band gap

    Trushin, M. V. & Vyvenko, O. F., 2007, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 3056-3060 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  12. 2005

  13. Impact of hydrogenation on electrical properties of NiSi2 precipitates in silicon

    Vyvenko, O. F., Bazlov, N. V., Trushin, M. V., Nadolinski, A. A., Seibt, M., Schröter, W. & Hahn, G., 2005, Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XI, Gadest 2005 - Proceedings of the 11th International Autumn Meeting. Trans Tech Publications Ltd, стр. 279-284 6 стр. (Solid State Phenomena; том 108-109).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  14. Recombination activity and electrical levels of "clean" and copper contaminated dislocations in p-type Si

    Vyvenko, O. F., Kittler, M., Seifert, W. & Trushin, M. V., 2005, в: Physica Status Solidi C: Conferences. 2, 6, стр. 1852-1858 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 166408