1 - 10 из 61Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. Формирование межслоевых областей в нейтронных суперзер-калах [NixMoy/Ti]N

    Конашук, А. С., Сахоненков, С. С., Гайсин, А. У., Саяпина, А. А., Матвеев, В. & Филатова, Е. О., 2025, стр. 513. 1 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  3. 2024

  4. Mechanical loads and site-dependent changes in crystal structure and molecular dynamics in native bone

    Павлычев, А. А., Брыкалова, К. О., Черный, А. А., Конашук, А. С. & Корнеев, А. В., мар 2024, Proceedings of 2023, the 6th International Conference on Mechanical Engineering and Applied Composite Materials. Yue, X. & Yuan, K. (ред.). Springer Nature, 10 стр. (Machine and Materials Science; том 156).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. Формирование полярной сегнетоэлектрической фазы в пленках HfO2 в зависимости от условий отжига и химических свойств примесей

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., 15 фев 2024, в: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 69, 1, стр. 28-33 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Применение метода NEXAFS для поиска оптимальных условий реализации морфотропной границы для наноплёнок La(Y):Hf0,5Zr0,5O2

    Конашук, А. С., Филатова, Е. О., Лев, Л., Черникова, А. & Зенкевич, А., 2024, стр. 116-118. 3 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  7. 2023

  8. Effect of postannealing crystallization of FE:HfO2 on dynamics of HfxSi1-xO2 formation at SiO2/FE:HfO2 interface depending on valence of doping impurity

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V. & Sakhonenkov, S. S., июн 2023, (Электронная публикация перед печатью). 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  9. Role of Postdeposition Annealing and Doping with Si and Al Impurities in the Formation of HfxSi1–xO2 at the SiO2/FE:HfO2 Interface in a Ferroelectric Field-Effect Transistor

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V., Sakhonenkov, S. S. & Danilov, D. V., 12 мая 2023, (Электронная публикация перед печатью) в: Journal of Physical Chemistry C.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2022

  11. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОТЖИГА И ДОПИРОВАНИЯ ТРИ-/ТЕТРА-ВАЛЕНТНОЙ ПРИМЕСЬЮ HfO2 НА ФОРМИРОВАНИЕ HfXSi1-XO2 НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ SiO2/HfO2 В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

    Конашук, А. С., Бугаев, А. В. & Филатова, Е. О., дек 2022, стр. 146-147. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  12. Исследование физико-химических процессов на межфазных границах системы Si/SiO2/HfO2/TiN при высокотемпературном отжиге и легировании примесями сегнетоэлектрического HfO2

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., мая 2022.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

  13. Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., апр 2022, стр. 524-525. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

  14. 2021

  15. Structural and electronic rearrangement in ovonic switching GexSe1-x(0,4 ≤ x ≤ 0,72) films

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Sokolov, A. A., Afanas'ev, V. V., Houssa, M. & Stesmans, A., 1 дек 2021, в: Solid-State Electronics. 186, 5 стр., 108084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 Далее

ID: 196361