11 - 20 из 67Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Effect of postannealing crystallization of FE:HfO2 on dynamics of HfxSi1-xO2 formation at SiO2/FE:HfO2 interface depending on valence of doping impurity

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V. & Sakhonenkov, S. S., июн 2023, (Электронная публикация перед печатью). 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  3. Role of Postdeposition Annealing and Doping with Si and Al Impurities in the Formation of HfxSi1–xO2 at the SiO2/FE:HfO2 Interface in a Ferroelectric Field-Effect Transistor

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V., Sakhonenkov, S. S. & Danilov, D. V., 12 мая 2023, (Электронная публикация перед печатью) в: Journal of Physical Chemistry C.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2022

  5. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОТЖИГА И ДОПИРОВАНИЯ ТРИ-/ТЕТРА-ВАЛЕНТНОЙ ПРИМЕСЬЮ HfO2 НА ФОРМИРОВАНИЕ HfXSi1-XO2 НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ SiO2/HfO2 В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

    Конашук, А. С., Бугаев, А. В. & Филатова, Е. О., дек 2022, стр. 146-147. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  6. Исследование физико-химических процессов на межфазных границах системы Si/SiO2/HfO2/TiN при высокотемпературном отжиге и легировании примесями сегнетоэлектрического HfO2

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., мая 2022.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

  7. Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., апр 2022, стр. 524-525. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

  8. 2021

  9. Structural and electronic rearrangement in ovonic switching GexSe1-x(0,4 ≤ x ≤ 0,72) films

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Sokolov, A. A., Afanas'ev, V. V., Houssa, M. & Stesmans, A., 1 дек 2021, в: Solid-State Electronics. 186, 5 стр., 108084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Влияние условий отжига и материала примеси HfO2 на процессы диффузии азота и кислорода на межфазной границе HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Филатова, Е. О. & Конашук, А. С., дек 2021, стр. 15-16. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  11. Influence of Annealing Conditions and HfO2 Impurity Material on Nitrogen and Oxygen Diffusion at the HfO2 / TiN Interface

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., ноя 2021, стр. 120. 1 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  12. Nanostructure of bone tissue probed with Ca 2p and O 1s NEXAFS spectroscopy

    Сахоненков, С. С., Конашук, А. С., Брыкалова, К. О., Черный, А. А., Риков, Ю. А., Корнилов, Н. Н., Филатова, Е. О. & Павлычев, А. А., 1 июн 2021, в: Nano Express. 2, 2, стр. 1 - 8 9 стр., 020009.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Влияние барьерного cлоя на формирование межслоевой области в многослойных рентгеновских зеркалах Mo/Si и Mo/Be

    Гайсин, А. У., Сахоненков, С. С., Касатиков, С. А., Конашук, А. С., Плешков, Р. С., Чхало, Н. И. & Филатова, Е. О., 9 мар 2021, стр. 381-382. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › материалы › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 Далее

ID: 196361