1. 2015
  2. Comparative study of the X-ray reflectivity and in-depth profile of a-C, B4C and Ni coatings at 0.1-2keV

    Kozhevnikov, I. V., Filatova, E. O., Sokolov, A. A., Konashuk, A. S., Siewert, F., Störmer, M., Gaudin, J., Keitel, B., Samoylova, L. & Sinn, H., 1 мар 2015, в: Journal of Synchrotron Radiation. 22, 2, стр. 348-353 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  3. Advanced ultralow-k organosilicate glasses: NEXAFS study

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Afanas'ev, V. V., Krishtab, M., Redzheb, M. & Baklanov, M., 2015.

    Результаты исследований: Материалы конференцийтезисы

  4. Experimental determination of the top of the valence band in amorphous Al2O3 and γ-Al2O3

    Konyushenko, M. A., Filatova, E. O., Konashuk, A. S., Nelyubov, A. V. & Shulakov, A. S., 2015, в: Technical Physics Letters. 10, стр. 922-925

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  5. Interpretation of the Changing the Band Gap of Al2O3 Depending on Its Crystalline Form: Connection with Different Local Symmetries

    Filatova, E. O. & Konashuk, A. S., 2015, в: Journal of Physical Chemistry C. 119, 35, стр. 20755-20761 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Экспериментальное определение положения потолка валентной зоны в a-Al2O3 и гамма-Al2O3

    Конюшенко, М. А., Филатова, Е. О., Конашук, А. С., Нелюбов, А. В. & Шулаков, А. С., 2015, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 41, 19, стр. 8-15

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. 2014
  8. Application of soft X-ray reflectometry for analysis of underlayer influence on structure of atomic-layer deposited SrTixOy films

    Filatova, E. O., Kozhevnikov, I. V., Sokolov, A. A., Konashuk, A. S., Schaefers, F., Popovici, M. & Afanas'Ev, V. V., 2014, в: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 196, стр. 110-116

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  9. Memristive switching mechanism for TiO2/ITO/Al assembly: formation of molecular oxygen in TiO2

    Filatova, E., Konashuk, A., Sokolov, A., Schaefers, F. & Konyushenko, M., 2014, в: Scientific Reports. находится на повторном рецензировании

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Metal/IL/TiO2/metal nanostructures as the most promising switching materials in RRAM memory Устный доклад- Филатова Е.О.

    Baraban, A. P., Selivanov, A. A., Konashuk, A. S., Drozd, V. E. & Filatova, E. O., 2014, стр. 40.

    Результаты исследований: Материалы конференцийтезисы

  11. Transparent-conductive-oxide (TCO) buffer layer effect on the resistive switching process in metal/TiO2/TCO/metal assemblies

    Filatova, E. O., Baraban, A. P., Konashuk, A. S., Konyushenko, M. A., Selivanov, A. A., Sokolov, A. A., Schaefers, F. & Drozd, V. E., 2014, в: New Journal of Physics. 16, стр. 113014_1-15

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

ID: 196361