1 - 10 out of 34Page size: 10
  1. 2025

  2. Trigonal pseudomorphism of κ-Ga2O3 grown on c-sapphire by HVPE

    Shapenkov, S. V., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Bazlov, N. V., Bondarenko, A. S., Varygin, G. V., Pechnikov, A. I. & Nikolaev, V. I., 1 Nov 2025, In: Journal of Materials Science. 60, 42, p. 20752-20762 11 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)

    Базлов, Н. В., 2025.

    Research output: Working paper

  4. Фотоэлектрические свойства диодной структуры Au/GaO/GaN/sapphire – образец GO-1008 (рабочие материалы, январь – март 2025 г.)

    Базлов, Н. В., 2025.

    Research output: Working paper

  5. 2024

  6. Structure and Electrical Conductivity of Thin AlN Films on Si

    Базлов, Н. В., Вывенко, О. Ф., Ниязова, Н. В., Котина, И. М., Трушин, М. В. & Бондаренко, А. С., 1 Feb 2024, In: Crystallography Reports. 69, 1, p. 65-72 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА КРЕМНИИ

    Базлов, Н. В., Вывенко, О. Ф., Ниязова, Н., Котина, И., Трушин, М. & Бондаренко, А., 2024, In: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 69, 1, p. 91-98 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Температурные зависимости удельного сопротивления пленки AgSSe-400mkm

    Базлов, Н. В., 2024.

    Research output: Working paper

  9. Фотоэлектрические свойства GaO

    Базлов, Н. В., 2024.

    Research output: Working paper

  10. 2023

  11. 4𝜋 spectrometer of 𝛽-decay electrons with Si(Li)-detectors

    Алексеев, И. Е., Бахланов, С., Базлов, Н. В., Чмель, Е., Дербин, А., Драчнев, И., Котина, И., Микулич, М., Муратова, В., Ниязова, Н., Семенов, Д., Трушин, М. & Унжаков, Е., 2023, In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A. 1051, 168242.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Radiation hardness of silicon semiconductor detectors under irradiation with fission products of 252Cf nuclide

    Базлов, Н. В., Дербин, А., Драчнев, И., Котина, И., Коньков, О., Ломская, И., Микулич, М., Муратова, В., Семенов, Д., Трушин, М. & Унжаков, Е., 2023, In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 16, 1.2, p. 287-294 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  13. КОМПАКТНЫЙ КАЛИБРОВОЧНЫЙ ИСТОЧНИК НЕЙТРОНОВ НА ОСНОВЕ РАДИОНУКЛИДА 252Cf И КРЕМНИЕВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА

    Базлов, Н. В., Бубнов, Е., Дербин, А., Драчнев, И., Иванов, Д., Коньков, О., Котина, И., Микулич, М., Муратова, В., Ниязова, Н., Семенов, Д., Трушин, М., Унжаков, Е. & Чмель, Е., 2023, In: ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА. 86, 1, p. 179-184 5 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 Next

ID: 147004