151 - 158 out of 158Page size: 10
  1. 2008

  2. Charge state of luminescence centers in the Si-SiO2 structures subjected to sequential implantation with silicon and carbon ions

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 Dec 2008, In: Semiconductors. 42, 13, p. 1515-1518 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2007

  4. Application of incubation time approach to simulate dynamic crack propagation

    Bratov, V. & Petrov, Y., 2007, In: International Journal of Fracture. 146, 1-2, p. 53-60 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2007, In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, p. 18-22

    Research output: Contribution to journal › Article

  6. 2006

  7. Electroluminescence of Si-SiO2 structures subjected to sequential ion implantation with silicon and carbon

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 May 2006, In: Physics of the Solid State. 48, 5, p. 966-968 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ИМПЛАНТИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ И УГЛЕРОДОМ

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2006, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 5, p. 909-911

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , СОДЕРЖАЩИХ ИЗБЫТОЧНЫЙ КРЕМНИЙ

    Барабан, А. П., Петров, Ю. В. & Сазонов, С. Г., 2006, In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article

  10. 2004

  11. The Effect of Annealing on the Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 Feb 2004, In: Technical Physics Letters. 30, 2, p. 85-87 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. The Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 Jan 2004, In: Technical Physics Letters. 30, 1, p. 40-41 2 p.

    Research output: Contribution to journal › Review article › peer-review

Previous 1...12 13 14 15 16 Next

ID: 200801