1 - 10 out of 13Page size: 10
  1. 2024

  2. МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2024, (Accepted/In press) In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Воробьёв, М. Г., Осипов, А. В., Гращенко, А. С. & Убыйвовк, Е. В., 2024, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 66, 7, p. 1133-1143

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. 2023

  5. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, In: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, p. 58-72

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. 2022

  8. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, p. 24-28

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. 2021

  10. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, p. 15-18

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, p. 3-6

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  13. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, p. 51-54

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, p. 621-624

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 Next

ID: 70430127