Standard

Plasma- assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates. / Цырлин, Георгий Эрнстович; Гридчин, Владислав Олегович; Резник, Родион Романович; Котляр, Константин Павлович.

2022. Реферат от PhysicA.SPb/2022, Санкт-Петербург, Российская Федерация.

Результаты исследований: Материалы конференцийтезисыРецензирование

Harvard

Цырлин, ГЭ, Гридчин, ВО, Резник, РР & Котляр, КП 2022, 'Plasma- assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates', PhysicA.SPb/2022, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 17/10/22 - 21/10/22.

APA

Vancouver

Цырлин ГЭ, Гридчин ВО, Резник РР, Котляр КП. Plasma- assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates. 2022. Реферат от PhysicA.SPb/2022, Санкт-Петербург, Российская Федерация.

Author

BibTeX

@conference{7d03e63d77d44a8c902915a793961960,
title = "Plasma- assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates",
author = "Цырлин, {Георгий Эрнстович} and Гридчин, {Владислав Олегович} and Резник, {Родион Романович} and Котляр, {Константин Павлович}",
year = "2022",
language = "English",
note = "null ; Conference date: 17-10-2022 Through 21-10-2022",
url = "https://physica.spb.ru/",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Plasma- assisted molecular beam epitaxy growth of InGaN nanostructures on Si substrates

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

AU - Гридчин, Владислав Олегович

AU - Резник, Родион Романович

AU - Котляр, Константин Павлович

PY - 2022

Y1 - 2022

M3 - Abstract

Y2 - 17 October 2022 through 21 October 2022

ER -

ID: 100359577