Standard

Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures. / Reznik , R. R. ; Gridchin, V. O. ; Kotlyar, K. P. ; Ubyivovk , E. V. ; Dragunova, A. S. ; Kryzhanovskaya, N. V. ; Cirlin, G. E. .

в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, Том 15, № 3.3, 2022, стр. 31-35.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Harvard

Reznik , RR, Gridchin, VO, Kotlyar, KP, Ubyivovk , EV, Dragunova, AS, Kryzhanovskaya, NV & Cirlin, GE 2022, 'Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures', НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, Том. 15, № 3.3, стр. 31-35. https://doi.org/10.18721/JPM.153.306

APA

Reznik , R. R., Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Ubyivovk , E. V., Dragunova, A. S., Kryzhanovskaya, N. V., & Cirlin, G. E. (2022). Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, 15(3.3), 31-35. https://doi.org/10.18721/JPM.153.306

Vancouver

Reznik RR, Gridchin VO, Kotlyar KP, Ubyivovk EV, Dragunova AS, Kryzhanovskaya NV и пр. Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2022;15(3.3):31-35. https://doi.org/10.18721/JPM.153.306

Author

Reznik , R. R. ; Gridchin, V. O. ; Kotlyar, K. P. ; Ubyivovk , E. V. ; Dragunova, A. S. ; Kryzhanovskaya, N. V. ; Cirlin, G. E. . / Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures. в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2022 ; Том 15, № 3.3. стр. 31-35.

BibTeX

@article{c586686f4ddc4d1cb96a1da91a381c20,
title = "Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures",
abstract = "In this work, we have studied the physical properties of InGaAs quantum dots(QDs) in AlGaAs nanowires (NWs) synthesized on silicon at different temperatures. The results of the studies have shown that, a decrease in the growth temperature leads to an increase in the mole fraction of indium in the InGaAs QD solid solution. In this case, the number of defects in QDs increases significantly due to an increase in the mismatch in the crystal lattices parameters of NWs and QDs.",
keywords = "соединения III-V, кремний, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, соединения III-V, кремний, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия",
author = "Reznik, {R. R.} and Gridchin, {V. O.} and Kotlyar, {K. P.} and Ubyivovk, {E. V.} and Dragunova, {A. S.} and Kryzhanovskaya, {N. V.} and Cirlin, {G. E.}",
note = "R. R. Reznik, V. O. Gridchi, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, G. E. Cirlin {"}Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures{"} St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2022 Vol. 15, No. 3.3 pp. 31-35; 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Saint Petersburg OPEN 2022 ; Conference date: 24-05-2022 Through 27-05-2022",
year = "2022",
doi = "10.18721/JPM.153.306",
language = "English",
volume = "15",
pages = "31--35",
journal = "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ",
issn = "2304-9782",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета",
number = "3.3",
url = "https://spb.hse.ru/spbopen/, https://spb.hse.ru/spbopen/#Conf",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures

AU - Reznik , R. R.

AU - Gridchin, V. O.

AU - Kotlyar, K. P.

AU - Ubyivovk , E. V.

AU - Dragunova, A. S.

AU - Kryzhanovskaya, N. V.

AU - Cirlin, G. E.

N1 - R. R. Reznik, V. O. Gridchi, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, G. E. Cirlin "Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures" St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2022 Vol. 15, No. 3.3 pp. 31-35

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - In this work, we have studied the physical properties of InGaAs quantum dots(QDs) in AlGaAs nanowires (NWs) synthesized on silicon at different temperatures. The results of the studies have shown that, a decrease in the growth temperature leads to an increase in the mole fraction of indium in the InGaAs QD solid solution. In this case, the number of defects in QDs increases significantly due to an increase in the mismatch in the crystal lattices parameters of NWs and QDs.

AB - In this work, we have studied the physical properties of InGaAs quantum dots(QDs) in AlGaAs nanowires (NWs) synthesized on silicon at different temperatures. The results of the studies have shown that, a decrease in the growth temperature leads to an increase in the mole fraction of indium in the InGaAs QD solid solution. In this case, the number of defects in QDs increases significantly due to an increase in the mismatch in the crystal lattices parameters of NWs and QDs.

KW - соединения III-V

KW - кремний

KW - нитевидные нанокристаллы

KW - квантовые точки

KW - молекулярно-пучковая эпитаксия

KW - соединения III-V

KW - кремний

KW - нитевидные нанокристаллы

KW - квантовые точки

KW - молекулярно-пучковая эпитаксия

UR - https://physmath.spbstu.ru/article/2022.60.6/

U2 - 10.18721/JPM.153.306

DO - 10.18721/JPM.153.306

M3 - Conference article

VL - 15

SP - 31

EP - 35

JO - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

JF - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

SN - 2304-9782

IS - 3.3

T2 - 9th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures

Y2 - 24 May 2022 through 27 May 2022

ER -

ID: 100019256