В работе представлены результаты экспериментальных исследований
физических свойств InGaAs КТ в AlGaAs ННК, синтезированных на кремнии при
различных температурах. Результаты исследований показали, что, как и ожидалось,
снижение температуры роста приводит к увеличению мольной доли индия в твердом
растворе InGaAs КТ. При этом количество дефектов в КТ значительно возрастает из-за
увеличения несоответствия параметров кристаллических решеток ННК и КТ.