Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. / Штром, Игорь Викторович; Философов, Николай Глебович; Агекян, Вадим Фадеевич; Смирнов, Михаил Борисович; Серов, Алексей Юрьевич; Резник, Родион; Кудрявцев, К; Цирлин, Георгий.
в: Semiconductors, Том 52, № 5, 01.05.2018, стр. 602-604.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate
AU - Штром, Игорь Викторович
AU - Философов, Николай Глебович
AU - Агекян, Вадим Фадеевич
AU - Смирнов, Михаил Борисович
AU - Серов, Алексей Юрьевич
AU - Резник, Родион
AU - Кудрявцев, К
AU - Цирлин, Георгий
N1 - Funding Information: We grateful the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state task, project no. 16.2483.2017/PCh).
PY - 2018/5/1
Y1 - 2018/5/1
N2 - The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.
AB - The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.
KW - SILICON-CARBIDE
KW - GALLIUM NITRIDE
KW - PHASE EPITAXY
UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85045744003&partnerID=8YFLogxK
UR - http://www.mendeley.com/research/optical-properties-gan-nanowires-grown-mbe-sicsi111-hybrid-substrate
U2 - 10.1134/S1063782618050299
DO - 10.1134/S1063782618050299
M3 - Article
VL - 52
SP - 602
EP - 604
JO - Semiconductors
JF - Semiconductors
SN - 1063-7826
IS - 5
ER -
ID: 24071901