Standard

Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. / Штром, Игорь Викторович; Философов, Николай Глебович; Агекян, Вадим Фадеевич; Смирнов, Михаил Борисович; Серов, Алексей Юрьевич; Резник, Родион; Кудрявцев, К; Цирлин, Георгий.

In: Semiconductors, Vol. 52, No. 5, 01.05.2018, p. 602-604.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Штром, ИВ, Философов, НГ, Агекян, ВФ, Смирнов, МБ, Серов, АЮ, Резник, Р, Кудрявцев, К & Цирлин, Г 2018, 'Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate', Semiconductors, vol. 52, no. 5, pp. 602-604. https://doi.org/10.1134/S1063782618050299

APA

Штром, И. В., Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Смирнов, М. Б., Серов, А. Ю., Резник, Р., Кудрявцев, К., & Цирлин, Г. (2018). Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. Semiconductors, 52(5), 602-604. https://doi.org/10.1134/S1063782618050299

Vancouver

Штром ИВ, Философов НГ, Агекян ВФ, Смирнов МБ, Серов АЮ, Резник Р et al. Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. Semiconductors. 2018 May 1;52(5):602-604. https://doi.org/10.1134/S1063782618050299

Author

Штром, Игорь Викторович ; Философов, Николай Глебович ; Агекян, Вадим Фадеевич ; Смирнов, Михаил Борисович ; Серов, Алексей Юрьевич ; Резник, Родион ; Кудрявцев, К ; Цирлин, Георгий. / Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. In: Semiconductors. 2018 ; Vol. 52, No. 5. pp. 602-604.

BibTeX

@article{67cf21928e6b45d5929333b25e43809f,
title = "Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate",
abstract = "The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.",
keywords = "SILICON-CARBIDE, GALLIUM NITRIDE, PHASE EPITAXY",
author = "Штром, {Игорь Викторович} and Философов, {Николай Глебович} and Агекян, {Вадим Фадеевич} and Смирнов, {Михаил Борисович} and Серов, {Алексей Юрьевич} and Родион Резник and К Кудрявцев and Георгий Цирлин",
note = "Funding Information: We grateful the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state task, project no. 16.2483.2017/PCh).",
year = "2018",
month = may,
day = "1",
doi = "10.1134/S1063782618050299",
language = "English",
volume = "52",
pages = "602--604",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "МАИК {"}Наука/Интерпериодика{"}",
number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

AU - Штром, Игорь Викторович

AU - Философов, Николай Глебович

AU - Агекян, Вадим Фадеевич

AU - Смирнов, Михаил Борисович

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Резник, Родион

AU - Кудрявцев, К

AU - Цирлин, Георгий

N1 - Funding Information: We grateful the support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state task, project no. 16.2483.2017/PCh).

PY - 2018/5/1

Y1 - 2018/5/1

N2 - The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.

AB - The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.

KW - SILICON-CARBIDE

KW - GALLIUM NITRIDE

KW - PHASE EPITAXY

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85045744003&partnerID=8YFLogxK

UR - http://www.mendeley.com/research/optical-properties-gan-nanowires-grown-mbe-sicsi111-hybrid-substrate

U2 - 10.1134/S1063782618050299

DO - 10.1134/S1063782618050299

M3 - Article

VL - 52

SP - 602

EP - 604

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 5

ER -

ID: 24071901