TY - JOUR

T1 - Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии

AU - Резник, Родион Романович

AU - Гридчин, Владислав Олегович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Хребтов, Артем Игоревич

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Микушев, Сергей Владимирович

AU - Li, D

AU - Radhakrishnan, R

AU - Neto, J.F.

AU - Akopian, N.

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - The results of experimental studies on the synthesis by molecular-beam epitaxy of AlGaAs nanowires with InGaAs quantum dots are presented. It was shown that, as in the case of the InP/InAsP material system, the formation of predominantly two objects is observed in the body of AlGaAs nanowire: InGaAs quantum dot due to axial growth and InGaAs quantum well due to radial growth. It is important to note that the grown nanostructures were formed predominantly in the wurtzite crystallographic phase. The results of the grown nanostructures physical properties studies indicate that they are promising for moving single-photon sources to the long-wavelength region. The proposed technology opens up new possibilities for integration direct-gap III−V materials with a silicon platform for various applications in photonics and quantum communications.Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.

AB - The results of experimental studies on the synthesis by molecular-beam epitaxy of AlGaAs nanowires with InGaAs quantum dots are presented. It was shown that, as in the case of the InP/InAsP material system, the formation of predominantly two objects is observed in the body of AlGaAs nanowire: InGaAs quantum dot due to axial growth and InGaAs quantum well due to radial growth. It is important to note that the grown nanostructures were formed predominantly in the wurtzite crystallographic phase. The results of the grown nanostructures physical properties studies indicate that they are promising for moving single-photon sources to the long-wavelength region. The proposed technology opens up new possibilities for integration direct-gap III−V materials with a silicon platform for various applications in photonics and quantum communications.Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.

UR - https://journals.ioffe.ru/articles/52761

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/2c4f65b4-3947-3237-b5bc-ffffd8883f22/

U2 - 10.21883/FTP.2022.07.52761.16

DO - 10.21883/FTP.2022.07.52761.16

M3 - статья в журнале по материалам конференции

VL - 56

SP - 689

EP - 692

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 7

ER -