Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

Standard

Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN. / Кукушкин, Сергей Арсеньевич ; Осипов, Андрей Викторович.

в: Письма в Журнал технической физики, Том 47, № 19, 2021, стр. 51-54.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{d0a983df6f0d4cd4a923dd42e676f1e5,

title = "Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN",

abstract = "Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия InxGa1-xN (0<x<1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом x, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших x, т. е. при 0<x<0.2 и 0.8<x<1, имеется большое количество моноклинных фаз Pm и P21, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2<x<0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc21 с составами x=1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз InxGa1-xN. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок InxGa1-xN повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN. ",

keywords = "метод функционала плотности, полупроводники, твердые растворы, гетероструктуры",

author = "Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Осипов, {Андрей Викторович}",

year = "2021",

language = "русский",

volume = "47",

pages = "51--54",

journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",

issn = "0320-0116",

publisher = "ФТИ им.Иоффе",

number = "19",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия InxGa1-xN (0<x<1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом x, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших x, т. е. при 0<x<0.2 и 0.8<x<1, имеется большое количество моноклинных фаз Pm и P21, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2<x<0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc21 с составами x=1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз InxGa1-xN. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок InxGa1-xN повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN.

AB - Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия InxGa1-xN (0<x<1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом x, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших x, т. е. при 0<x<0.2 и 0.8<x<1, имеется большое количество моноклинных фаз Pm и P21, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2<x<0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc21 с составами x=1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз InxGa1-xN. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок InxGa1-xN повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN.

KW - метод функционала плотности

KW - полупроводники

KW - твердые растворы

KW - гетероструктуры

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/51516

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46549190

M3 - статья

VL - 47

SP - 51

EP - 54

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 19

ER -

ID: 89125570