Standard

Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. / Кукушкин, Сергей Арсеньевич; Осипов, Андрей Викторович; Редьков, Алексей Викторович; Стожаров, В. М.; Убыйвовк, Евгений Викторович; Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 48, № 4, 2022, стр. 24-28.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Кукушкин, СА, Осипов, АВ, Редьков, АВ, Стожаров, ВМ, Убыйвовк, ЕВ & Шарофидинов, ШШ 2022, 'Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 48, № 4, стр. 24-28. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

APA

Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В., & Шарофидинов, Ш. Ш. (2022). Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 48(4), 24-28. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

Vancouver

Кукушкин СА, Осипов АВ, Редьков АВ, Стожаров ВМ, Убыйвовк ЕВ, Шарофидинов ШШ. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022;48(4):24-28. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

Author

Кукушкин, Сергей Арсеньевич ; Осипов, Андрей Викторович ; Редьков, Алексей Викторович ; Стожаров, В. М. ; Убыйвовк, Евгений Викторович ; Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович. / Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022 ; Том 48, № 4. стр. 24-28.

BibTeX

@article{43df6763bdce45c98885a9c02877a098,
title = "Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии",
abstract = "Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000◦C). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации.",
author = "Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Осипов, {Андрей Викторович} and Редьков, {Алексей Викторович} and Стожаров, {В. М.} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Шарофидинов, {Шукрилло Шамсидинович}",
year = "2022",
doi = "10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056",
language = "русский",
volume = "48",
pages = "24--28",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

AU - Редьков, Алексей Викторович

AU - Стожаров, В. М.

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000◦C). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации.

AB - Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000◦C). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации.

U2 - 10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

DO - 10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056

M3 - статья

VL - 48

SP - 24

EP - 28

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 4

ER -

ID: 89187437