1. 2009
  2. FEATURES OF NUCLEATION IN NANOVOLUMES

    Dubrovskii, V. G., Nazarenko, M. V. & Sibirev, N. V., 2009, In: Technical Physics Letters. 35, 12, p. 1117-1120

    Research output: Contribution to journalArticle

  3. Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence

    Novikov, B. V., A.Yu., S., Filosofov, N. G., Shtrom, I. V., Talalaev, V. G., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Samsonenko, Y. B., Bouravleuv, A. D., Soshnikov, I. P., Sibirev, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 2009, 17th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology: proceedings. Minsk: ФТИ им.Иоффе, p. 186-187

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearch

  4. 2007
  5. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА КОГЕРЕНТНЫХ ОСТРОВКОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМАХ GE/SI И INAS/GAAS

    Сафонов, К. Л., Дубровский, В. Г., Сибирев, Н. В. & Трушин, Ю. В., 2007, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 33, 11, p. 87-94

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. 2006
  7. INFLUENCE OF MBE GROWTH CONDITIONS ON THE SURFACE MORPHOLOGY OF AL(GA)AS NANOWHISKERS

    Tonkikh, A. A., Cirlin, G. E., Dubrovskii, V. G., Soshnikov, I. P., Samsonenko, Y. B., Polyakov, N. K., Ustinov, V. M. & Sibirev, N. V., 2006, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 203, 6, p. 1365-1369

    Research output: Contribution to journalArticle

  8. THE BAND STRUCTURE AND PHOTOLUMINESCENCE IN A GE

    Sibirev, N. V., 2006, In: Semiconductors. 40, 2, p. 224-228

    Research output: Contribution to journalArticle

  9. THE ROLE OF SURFACE DIFFUSION OF ADATOMS IN THE FORMATION OF NANOWIRE CRYSTALS

    Dubrovski, V. G., Cirlin, G. ., Ustinov, V. M., Suris, R. A., Sibirev, N. V., Tchernysheva, M. & Harmand, J. C., 2006, In: Semiconductors. 40, 9, p. 1075-1082

    Research output: Contribution to journalArticle

  10. АНАЛИЗ КИНЕТИКИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВОВ ВИСКЕРНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ INР И GAAS ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ИОНАМИ АR

    Сошников, И. П., Дубровский, В. Г. & Сибирев, Н. В., 2006, АНАЛИЗ КИНЕТИКИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВОВ ВИСКЕРНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ INР И GAAS ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ИОНАМИ АR. p. 813-816

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingArticle in an anthologyResearch

  11. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТР ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СВЕРХРЕШЕТКИ GE

    Сибирев, Н. В., Талалаев, В. Г., Тонких, А. А., Цырлин, Г. Э., Дубровский, В. Г., Захаров, Н. Д. & Werner, P., 2006, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 40, 2, p. 230-234

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  12. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТР ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СВЕРХРЕШЕТКИ GE 0 . 8 SI 0 . 2 /GE 0 . 1 SI 0 . 9 С ВЕРТИКАЛЬНО СОВМЕЩЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Band structure and photoluminescence spectrum of Ge 0 . 8 Si 0 . 2 /Ge 0 . 1 Si 0 . 9 quantum dots superlattice

    Сибирев, Н. В., Талалаев, В. Г., Тонких, А. А., Цырлин, Г. Э., Дубровский, В. Г., Захаров, Н. Д. & Werner, P., 2006, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2, p. 230-234

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  13. О МИНИМАЛЬНОМ ДИАМЕТРЕ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ

    Дубровский, В. Г. & Сибирев, Н. В., 2006, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 32, 24, p. 10-17

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Previous 1...3 4 5 6 7 8 9 Next

ID: 190900