1 - 5 из 5Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Si(Li) detector with ultra-thin entrance window on the diffusive lithium side

    Bazlov, N. V., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Gicharevich, G. E., Kotina, I. M., Konkov, O. I., Pilipenko, N. V., Chmel, E. A., Abolmasov, S. N., Terukov, E. I. & Unzhakov, E. V., 11 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 055056.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. 2018

  4. Beta-spectrometer with Si-detectors for the study of 144Ce–144Pr decays

    Alexeev, I. E., Bakhlanov, S. V., Bazlov, N. V., Chmel, E. A., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Kotina, I. M., Muratova, V. N., Pilipenko, N. V., Semyonov, D. A., Unzhakov, E. V. & Yeremin, V. K., 11 мая 2018, в: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 890, стр. 64-67 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. A Beta Spectrometer Based on Silicon Detectors

    Bazlov, N. V., Bakhlanov, S. V., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Eremin, V. K., Kotina, I. M., Muratova, V. N., Pilipenko, N. V., Semenov, D. A., Unzhakov, E. V. & Chmel, E. A., 1 мая 2018, в: Instruments and Experimental Techniques. 61, 3, стр. 323-327 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2017

  7. A Silicon Detector Based Beta-spectrometer

    Alekseev, I. E., Bakhlanov, S. V., Bazlov, N. V., Chmel, E. A., Derbin, A. V., Drachnev, I. S., Kotina, I. M., Muratova, V. N., Pilipenko, N. V., Semenov, D. A., Unzhakov, E. V. & Yeremin, V. K., 20 дек 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 934, 1, 012056.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. 2016

  9. Structural and Electrical Properties of AlN Layers Grown on Silicon by Reactive RF Magnetron Sputtering

    Bazlov, N., Pilipenko, N., Vyvenko, O., Kotina, I., Petrov, Y., Mikhailovskii, V., Ubyivovk, E. & Zharinov, V., 2016, Structural and Electrical Properties of AlN Layers Grown on Silicon by Reactive RF Magnetron Sputtering. American Institute of Physics, 9 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

ID: 153883