1 - 10 из 16Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Chemical interactions at interfaces in nanoscale Mo/B4C multilayered structures

    Сахоненков, С. С., Филатова, Е. О., Бугаев, А. В., Полковников, В. Н. & Шапошников, Р. А., 1 дек 2024, в: Surfaces and Interfaces. 55, 105467.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Формирование полярной сегнетоэлектрической фазы в пленках HfO2 в зависимости от условий отжига и химических свойств примесей

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., 15 фев 2024, в: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 69, 1, стр. 28-33 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. СОСТАВ И ПРОТЯЖЁННОСТЬ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ Ru/B4C В ЗАВИСИМОСТИ ОТ СООТНОШЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЁВ И ТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 2024, стр. 77-78. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  5. Теоретическое и экспериментальное исследование межфазной границы в многослойном зеркале Mo/B4C до и после введения барьерного слоя W

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Шапошников, Р. А., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 2024, стр. 443-444. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  6. ФОРМИРОВАНИЕ МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦ В НАНОРАЗМЕРНЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ Mo/B4C

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Шапошников, Р. А., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 2024, стр. 75-76. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  7. 2023

  8. Поиск оптимальной конфигурации зеркала Mo/B4C

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Шапошников, Р. А., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 25 ноя 2023, стр. 36-37. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  9. Effect of postannealing crystallization of FE:HfO2 on dynamics of HfxSi1-xO2 formation at SiO2/FE:HfO2 interface depending on valence of doping impurity

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V. & Sakhonenkov, S. S., июн 2023, (Электронная публикация перед печатью). 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  10. Role of Postdeposition Annealing and Doping with Si and Al Impurities in the Formation of HfxSi1–xO2 at the SiO2/FE:HfO2 Interface in a Ferroelectric Field-Effect Transistor

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V., Sakhonenkov, S. S. & Danilov, D. V., 12 мая 2023, (Электронная публикация перед печатью) в: Journal of Physical Chemistry C.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2022

  12. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОТЖИГА И ДОПИРОВАНИЯ ТРИ-/ТЕТРА-ВАЛЕНТНОЙ ПРИМЕСЬЮ HfO2 НА ФОРМИРОВАНИЕ HfXSi1-XO2 НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ SiO2/HfO2 В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

    Конашук, А. С., Бугаев, А. В. & Филатова, Е. О., дек 2022, стр. 146-147. 2 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  13. Исследование физико-химических процессов на межфазных границах системы Si/SiO2/HfO2/TiN при высокотемпературном отжиге и легировании примесями сегнетоэлектрического HfO2

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., мая 2022.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

Назад 1 2 Далее

ID: 13793464