1 - 10 out of 13Page size: 10
  1. 2024

  2. Формирование полярной сегнетоэлектрической фазы в пленках HfO2 в зависимости от условий отжига и химических свойств примесей

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., 15 Feb 2024, In: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 69, 1, p. 28-33 6 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Теоретическое и экспериментальное исследование межфазной границы в многослойном зеркале Mo/B4C до и после введения барьерного слоя W

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Шапошников, Р. А., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 2024, p. 443-444. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  4. 2023

  5. Поиск оптимальной конфигурации зеркала Mo/B4C

    Бугаев, А. В., Сахоненков, С. С., Шапошников, Р. А., Полковников, В. Н. & Филатова, Е. О., 25 Nov 2023, p. 36-37. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  6. Effect of postannealing crystallization of FE:HfO2 on dynamics of HfxSi1-xO2 formation at SiO2/FE:HfO2 interface depending on valence of doping impurity

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V. & Sakhonenkov, S. S., Jun 2023, (E-pub ahead of print). 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  7. Role of Postdeposition Annealing and Doping with Si and Al Impurities in the Formation of HfxSi1–xO2 at the SiO2/FE:HfO2 Interface in a Ferroelectric Field-Effect Transistor

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V., Sakhonenkov, S. S. & Danilov, D. V., 12 May 2023, (E-pub ahead of print) In: Journal of Physical Chemistry C.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. 2022

  9. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОТЖИГА И ДОПИРОВАНИЯ ТРИ-/ТЕТРА-ВАЛЕНТНОЙ ПРИМЕСЬЮ HfO2 НА ФОРМИРОВАНИЕ HfXSi1-XO2 НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ SiO2/HfO2 В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

    Конашук, А. С., Бугаев, А. В. & Филатова, Е. О., Dec 2022, p. 146-147. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  10. Исследование физико-химических процессов на межфазных границах системы Si/SiO2/HfO2/TiN при высокотемпературном отжиге и легировании примесями сегнетоэлектрического HfO2

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., May 2022.

    Research output: Contribution to conference › Abstract

  11. Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., Apr 2022, p. 524-525. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract

  12. 2021

  13. Влияние условий отжига и материала примеси HfO2 на процессы диффузии азота и кислорода на межфазной границе HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Филатова, Е. О. & Конашук, А. С., Dec 2021, p. 15-16. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  14. Influence of Annealing Conditions and HfO2 Impurity Material on Nitrogen and Oxygen Diffusion at the HfO2 / TiN Interface

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., Nov 2021, p. 120. 1 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

Previous 1 2 Next

ID: 13793464