Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
The results are given of experimental and theoretical investigation of surface transport processes in the valence band of silicon in MIS transistor inversion channels.
| Язык оригинала | английский |
|---|---|
| Страницы (с-по) | 198-202 |
| Число страниц | 5 |
| Журнал | Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika) |
| Том | 8 |
| Номер выпуска | 3 |
| Состояние | Опубликовано - 1 янв 1979 |
ID: 42242993