CHARACTERIZATION OF VACANCY-RELATED DEFECTS INTRODUCED INTO SILICON DURING HEAT TREATMENT BY DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY AND GAMMA-RAY DIFFRACTION TECHNIQUES

CHARACTERIZATION OF VACANCY-RELATED DEFECTS INTRODUCED INTO SILICON DURING HEAT TREATMENT BY DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY AND GAMMA-RAY DIFFRACTION TECHNIQUES

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

N.A. Sobolev
E.I. Shek
A.I. Kurbakov
E.E. Rubinova
A.E. Sokolov

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	259-262
Журнал	Applied Physics A: Materials Science and Processing
Том	62
Номер выпуска	3
Состояние	Опубликовано - 1996
Опубликовано для внешнего пользования	Да

ID: 5548681

Pure – это продукт компании Elsevier
На данном информационном ресурсе могут быть опубликованы архивные материалы
с упоминанием физических и юридических лиц, включенных Министерством юстиции
Российской Федерации в реестр иностранных агентов

Вход в Pure