TY - JOUR

T1 - Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе

AU - Илькив, Игорь Владимирович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

PY - 2023/7/6

Y1 - 2023/7/6

N2 - Experimental results of studying the InAs islands formation of silicon surface by molecular beam epitaxy are presented. It has been found that, InAs islands with both bimodal and uniform size distributions can be formed depending on the Si surface relief and the presence of nanopits. The possibility of fabricating heterostructures with InAs quantum dots demonstrating photoluminescence in the region of 1.65 μm, was showed.Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм. Ключевые слова: квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, гетероструктуры.

AB - Experimental results of studying the InAs islands formation of silicon surface by molecular beam epitaxy are presented. It has been found that, InAs islands with both bimodal and uniform size distributions can be formed depending on the Si surface relief and the presence of nanopits. The possibility of fabricating heterostructures with InAs quantum dots demonstrating photoluminescence in the region of 1.65 μm, was showed.Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм. Ключевые слова: квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, гетероструктуры.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/ec1fb9dc-3ed1-316f-9fbb-9423d75b4de6/

U2 - 10.21883/FTP.2023.05.56199.26k

DO - 10.21883/FTP.2023.05.56199.26k

M3 - статья

VL - 57

SP - 332

EP - 337

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -