Standard

Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si. / Черкашин, Н. А.; Сахаров, А. В.; Николаев, А.Е.; Лундин, В.В.; Усов, С. О.; Устинов, В.М.; Гращенко, А.С.; Кукушкин, Сергей Арсеньевич; Осипов, Андрей Викторович; Цацульников, А. Ф.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 47, № 15, 2021, стр. 15-18.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Черкашин, НА, Сахаров, АВ, Николаев, АЕ, Лундин, ВВ, Усов, СО, Устинов, ВМ, Гращенко, АС, Кукушкин, СА, Осипов, АВ & Цацульников, АФ 2021, 'Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 47, № 15, стр. 15-18. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827

APA

Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., & Цацульников, А. Ф. (2021). Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 47(15), 15-18. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827

Vancouver

Черкашин НА, Сахаров АВ, Николаев АЕ, Лундин ВВ, Усов СО, Устинов ВМ и пр. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2021;47(15):15-18. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827

Author

Черкашин, Н. А. ; Сахаров, А. В. ; Николаев, А.Е. ; Лундин, В.В. ; Усов, С. О. ; Устинов, В.М. ; Гращенко, А.С. ; Кукушкин, Сергей Арсеньевич ; Осипов, Андрей Викторович ; Цацульников, А. Ф. / Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2021 ; Том 47, № 15. стр. 15-18.

BibTeX

@article{ece075e7b4ba4eec8a689a5c42225471,
title = "Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si",
abstract = "Light emitting III-N heterostructures were grown by metalorganic chemical vapor deposition on the SiC/Si (111) templates (substrates) formed by the method of matched substitution of atoms. Investigations of the optical and structural properties of heterostructures were carried out in order to reveal the formation of defects in the structures. It is shown that features of the growth of the (Al, Ga)N buffer layers in such structuresare associated with the presence of pores in the Si substrate under SiC/Si interface. Applying of the optimal design of the buffer layer allows significantly reduce the dislocation density and form active region with high structural quality.Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III-N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.",
author = "Черкашин, {Н. А.} and Сахаров, {А. В.} and А.Е. Николаев and В.В. Лундин and Усов, {С. О.} and В.М. Устинов and А.С. Гращенко and Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Осипов, {Андрей Викторович} and Цацульников, {А. Ф.}",
year = "2021",
doi = "10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827",
language = "русский",
volume = "47",
pages = "15--18",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "15",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

AU - Черкашин, Н. А.

AU - Сахаров, А. В.

AU - Николаев, А.Е.

AU - Лундин, В.В.

AU - Усов, С. О.

AU - Устинов, В.М.

AU - Гращенко, А.С.

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

AU - Цацульников, А. Ф.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Light emitting III-N heterostructures were grown by metalorganic chemical vapor deposition on the SiC/Si (111) templates (substrates) formed by the method of matched substitution of atoms. Investigations of the optical and structural properties of heterostructures were carried out in order to reveal the formation of defects in the structures. It is shown that features of the growth of the (Al, Ga)N buffer layers in such structuresare associated with the presence of pores in the Si substrate under SiC/Si interface. Applying of the optimal design of the buffer layer allows significantly reduce the dislocation density and form active region with high structural quality.Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III-N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

AB - Light emitting III-N heterostructures were grown by metalorganic chemical vapor deposition on the SiC/Si (111) templates (substrates) formed by the method of matched substitution of atoms. Investigations of the optical and structural properties of heterostructures were carried out in order to reveal the formation of defects in the structures. It is shown that features of the growth of the (Al, Ga)N buffer layers in such structuresare associated with the presence of pores in the Si substrate under SiC/Si interface. Applying of the optimal design of the buffer layer allows significantly reduce the dislocation density and form active region with high structural quality.Светоизлучающие III-N гетероструктуры выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на темплейтах (подложках) SiC/Si (111), сформированных методом согласованного замещения атомов. Проведены исследования оптических и структурных свойств гетероструктур с целью выявления формирования дефектов в структурах. Показано, что в таких гетероструктурах наблюдаются особенности роста буферного слоя (Al,Ga)N, связанные с наличием пор в Si под интерфейсом SiC/Si. Использование оптимизированного дизайна буферного слоя позволяет значительно уменьшить плотность дислокаций и сформировать активную область с хорошим структурным качеством. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, кремний, III-N гетероструктура, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/266c749a-2f36-376d-8314-70893ee0fa56/

U2 - 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827

DO - 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827

M3 - статья

VL - 47

SP - 15

EP - 18

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 15

ER -

ID: 89180516