Методом импедансометрии изучена электропроводность стекол системы Ag-As-Те-Se по двум разрезам: Ag₀.₂-As₀.₄-{Те_х -Se_1-х )_0,4 и (Ag₂Se)o_,2- [(As₂Te₃)_x-(As₂Se₃)_1-х]o.8 Проведено измерение чисел переноса по методу Вагнера. Обнаружено, что в исследованных стеклах, содержащих большое количество серебра, электроннодырочная проводимость обусловлена в основном миграцией электронов, а не дырок, как это наблюдается обычно в халькогенидных стеклах.