Методом импедансометрии изучена электропроводность стекол системы Ag-As-Те-Se по двум разрезам: Ag0.2-As0.4-{Тех -Se1-х )0,4 и (Ag2Se)o,2- [(As2Te3)x-(As2Se3)1-х]o.8 Проведено измерение чисел переноса по методу Вагнера. Обнаружено, что в исследованных стеклах, содержащих большое количество серебра, электроннодырочная проводимость обусловлена в основном миграцией электронов, а не дырок, как это наблюдается обычно в халькогенидных стеклах.
